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IBM制造出全球首颗2nm芯片,未来英特尔和三星或会受益
超能网 | 2021-05-08 07:33:53    阅读:44   发布文章

IBM宣布制造出全球首款2nm工艺节点的芯片,并在纽约州奥尔巴尼的工厂展示了2nm工艺生产的完整300mm晶圆,不过这并不意味着2nm工艺已实现批量生产。无论如何,这也是半导体设计和制造上的一个突破,在性能和能效上有质的飞跃。IBM认为,2nm芯片的潜在优势,包括提高手机电池使用寿命、减少数据中心碳排放量、让笔记本电脑拥有更多更快的功能、以及有助于提高自动驾驶汽车芯片的性能等。

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据Anandtech报道,IBM介绍该技术可以将“500亿个晶体管放在指甲大小的芯片上”,其2nm芯片的晶体管密度(MTr/mm2)为333.33,几乎是台积电5nm工艺的两倍,也高于业界对台积电3nm工艺的预估(292.21 MTr/mm2)。与目前的7nm工艺相比,在同样的功耗下,其性能会高出45%,或者在同样性能下,功耗会降低75%。同时IBM的2nm工艺还采用了GAA(全环绕栅极晶体管)工艺,三星未来3nm工艺也将使用此项技术。

虽然IBM在2014年将晶圆厂卖给GlobalFoundries后,已没有了属于自己的晶圆厂,但是仍然在半导体创新方面处于领导地位。在半导体领域,IBM的突破还包括了首次实现7nm和5nm工艺技术、铜互连布线、高k栅极介质、多核微处理器、嵌入式DRAM、3D芯片堆叠和登纳德缩放比例定律等。此前英特尔在IDM 2.0战略中已宣布,未来将会与IBM在逻辑和封装技术方面进行合作。

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IBM计划今年在旗下Power Systems服务器中使用其首款商用7nm工艺处理器IBM Power 10,支持PCIe Gen5和DDR5内存,采用了与三星合作研发的工艺,将由三星负责制造。

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